Компании NXP и TSMC представили семь инноваций на конференции IEDM

Прорыв в области технологий памяти, транзисторов и производственных процессов будет способствовать совершенствованию устройств бытовой электроники.

Эйндховен (Нидерланды) и Синьчу (Тайвань), 12 декабря 2007 г. — Сегодня компания NXP, независимый поставщик полупроводниковых компонентов, основанная компанией Philips, и тайваньская компания TSMC (ведущий мировой производитель интегральных схем) продемонстрировали свои технологические достижения на главном мировом форуме по микроэлектронике IEDM 2007, начавшем работу 10 декабря в Вашингтоне (округ Колумбия). Представленные инновации являются результатом совместных разработок, проводимых в исследовательском центре NXP-TSMC.

Одно из выдающихся научных достижений исследовательского центра NXP-TSMC – революционная технология встраиваемой памяти, обеспечивающая повышение производительности по сравнению с традиционными энергонезависимыми модулями до 1000 раз, возможность масштабирования и пониженное энергопотребление. Как показывают оценки, энергопотребление снижается как минимум на порядок. К тому же новая технология позволит на 5-10% снизить стоимость производства модулей памяти. Среди возможных применений данной технологии – предотвращение перехвата потоков данных и повышение безопасности транзакций с использованием NFC (Near Field Communication) при осуществлении платежей через мобильный телефон или при отправке контента.

На конференции IEDM исследовательский центр NXP-TSMC планирует также представить альтернативу кварцевому резонатору; данная разработка позволит изготовить тактовый генератор на базе полупроводниковых микросхем: он будет миниатюрнее и тоньше современных устройств, в которых используются традиционные кристаллы кварца. Это даст возможность встраивать генераторы тактовых импульсов в смарт-карты или в SIM-карты и повысить уровень криптографической защиты смарт-карт.

Кроме того, совместный исследовательский центр представит важнейшие результаты научных изысканий в области транзисторов. Будет продемонстрирована производительность нового поколения транзисторов и их работа в различных окружениях. Будет также предложен новый метод оценки преимуществ транзисторных технологий на схемотехническом уровне, который поможет проектировщикам разрабатывать системы в соответствии с конкретными требованиями.

Опубликовано: 20 декабря 2007 г.

Ключевые слова: нет

Извините, комментариев пока нет