Amd ПРЕДСТАВЛЯЕТ УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЕ УСТРОЙСТВА ФЛЭШ-ПАМЯТИ ДЛЯ СОТОВЫХ ТЕЛЕФОНОВ

Лучшая в отрасли производительность и плотность при напряжении питания 1,8 вольт Саннивейл, Калифорния - 20 июня 2000 г. Сегодня AMD объявила о выпуске своих самых усовершенствованных устройств флэш-памяти: 32-мегабитного Am29BDS323 и 64-мегабитного Am29BDS643.

Эти сложные устройства сочетают в себе новую архитектуру AMD Simultaneous Read/Write (параллельного чтения и записи информации) с высокопроизводительными интерфейсами режима Burst и технологией Super Low Voltage.

Работая на тактовых частотах от 40 до 54 МГц, эти изделия идеально подходят для приложений, призванных обеспечивать работу сотовых телефонов следующего поколения, которые должны обязательно обладать такими возможностями, как доступом в Интернет, функцией PDA, потоковым видео и способностью работать в формате MP3. "Чтобы внедрить новейшие решения для телефонов класса Hi-End, Nokia разрабатывает свою продукцию в тесном контакте с большинством поставщиков, - говорит Рюне Линдхольм (Rune Lindholm), главный инженер архитектуры полосы модулирующих частот Nokia. - AMD оказалась первым поставщиком, чьи изделия полностью отвечают требованиям, предъявляемым нашей компанией к устройствам флэш-памяти, которые должны соответствовать высокому уровню обработки данных сотовыми телефонами следующего поколения и обладать функциями GPRS, EDGE и 3G. Исключительно быстродействующие изделия AMD, 32-мегабитная и 64-мегабитная флэш-память, позволяют нам обеспечивать рынок самыми современными решениями для сотовых телефонов". "Мы рады, что поддерживаем Nokia, ведущего мирового производителя сотовых телефонов, в ее стремлении провести революционные преобразования в области радиосвязи, - говорит Валид Магриби (Walid Maghribi), вице-президент группы памяти AMD. - AMD поставила задачу разработать и поставить на рынок самые современные на сегодняшний день изделия флэш-памяти и сумела достичь этой цели благодаря своему партнерству с Nokia".

Устройство Am29BDS643 обладает самым лучшим в отрасли burst access time - 13,5 н/с, а устройство Am29BDS323 - 20 н/с. Высокоскоростная функция Burst mode позволяет микропроцессорам работать на оптимальных уровнях производительности, значительно сокращая количество состояний ожидания, необходимых для прочтения кода и данных с устройства флэш-памяти. В результате значительно повышается общая производительность всей системы в ц- елом.

Для эффективной поддержки жестких норм топологии печатных плат Nokia AMD поместила эти изделия в новый корпус Fine pitch Ball Grid Array (FBGA) толщиной 0,5 мм и уплотнила контакты адреса и данных, чтобы свести к минимуму количество контактов входов/выходов. Уплотненная конфигурация контактов в сочетании с внедренной технологией упаковки AMD позволяет облегчить разводку печатной платы и помогает сэкономить на ней место.

Устройства Am29BDS323 и Am29BDS643 способны непрерывно считывать данные из одного банка памяти в то время, как выполняется функция стирания/программирования данных в другом банке благодаря применению признанной технологии параллельного чтения и записи информации Simultaneous Read/Write, разработанной AMD. Устройство Am29BDS323 имеет два независимых банка памяти - 8 мегабит и 24 мегабит, в то время как устройство Am29BDS643 разделено на два банка памяти размером 16 мегабит и 48 мегабит.

В результате разработчики систем могут объединять функциональные возможности нескольких устройств памяти в единое целое, тем самым снизив затраты на закупку комплектующих. Эти новые возможности удачно сочетаются с технологией низкого энергопотребления AMD Super Low Voltage, которая обеспечивает параллельное чтение, программирование и стирание информации при напряжении питания 1.8 вольт. AMD первой предложила устройства флэш-памяти с напряжением питания 1,8 вольт на базе запатентованной AMD архитектуры negative gate erase.

Как и все остальные низковольтовые устройства флэш-памяти AMD, приборы Am29BDS323 и Am29BDS643 поддерживают функцию Zero Power Operation. Это значит, что если устройство не используется, оно автоматически переключается в режим ожидания (sleep mode) и потребляет лишь 0,2 микроампер. Об устройствах флэш-памяти AMD AMD является лидером в производстве изделий флэш-памяти, которые имеют широкий спектр плотностей и обладают возможностями, отвечающими самым разнообразным запросам рынка.

AMD создала такие технические новинки, как получившая признание линейка изделий, поддерживающих параллельное чтение и запись информации Simultaneous Read Write (SRW), устройства флэш-памяти, поддерживающие функцию Super Low Voltage с напряжением питания 1,8 вольт, а также устройства, поддерживающие режим Burst and Page. AMD разработала успешную программу Known Good Die (KGD), запатентовала технологию negative gate erase technique и обновила отраслевой стандарт корпуса Fine pitch Ball Grid Array (FBGA).

На все продукты флэш-памяти AMD дается гарантия не менее 1 млн. циклов перезаписи сектора и 20 лет хранения данных. Эти характеристики делают изделия флэш-памяти AMD самыми надежными устройствами флэш-памяти в отрасли, способными хранить информацию после отключении электропитания.

Дополнительную информацию о компании AMD и ее продукции можно найти на Web-сайте по адресу http://www.amd.com и http://www.amd- .ru (c)2000 Advanced Micro Devices, Inc. Trademark Information ________________________________________________________ Контактные телефоны: Татьяна Арасланова (095) 151-42-23 e-mail: russian.pr@amd.ru Наталья Берязева (3832) 54-29-08 e-mail: natali@eprcn.nsk.su

Опубликовано: 22 июня 2000 г.

Ключевые слова: нет

Извините, комментариев пока нет